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  • ENS7110（三轴Hall）

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    磁头类型

    IMC+HALL

    IMC+HALL

    磁场检测范围

    X/Y/Z≤49.12Gs

    X/Y/Z≤49.12Gs

    分辨率LSB

    0.15uT

    0.15uT

    噪声

    /

    1uTrms

    工作温度范围（°C）

    -30~85

    -30~85

    工作电压（V）

    1.65~1.95

    1.65~1.95

    消耗电流（mA）/待机电流

    1.5mA/1uA

    1.5mA/1uA

    ADC位数

    16bit

    16bit

    数字输出型式

    I2C

    I2C

    IO接口

    1.2V/1.8V

    1.2V/1.8V（支持1.2V通讯）

    刷新时间 (us)

    10ms~200ms

    10ms~200ms

    测量时间（us）

    7.2ms

    7.2ms

    特殊功能

    16 FIFO buffer

    16 FIFO buffer

    offset温漂

    /

    ±1uT/°C

    sns温漂（灵敏度温漂）

    /

    XY=±1.5%，Z=±1.5% 全温范围

    磁滞

    0.2%FS

    0.2%FS

    ESD（HBM）

    2kV

    2kV

    封装形式

    WLCSP4，0.8*0.8*0.5

    WLCSP4，0.8*0.8*0.5


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商品描述

磁头类型

IMC+HALL

IMC+HALL

磁场检测范围

X/Y/Z≤49.12Gs

X/Y/Z≤49.12Gs

分辨率LSB

0.15uT

0.15uT

噪声

/

1uTrms

工作温度范围（°C）

-30~85

-30~85

工作电压（V）

1.65~1.95

1.65~1.95

消耗电流（mA）/待机电流

1.5mA/1uA

1.5mA/1uA

ADC位数

16bit

16bit

数字输出型式

I2C

I2C

IO接口

1.2V/1.8V

1.2V/1.8V（支持1.2V通讯）

刷新时间 (us)

10ms~200ms

10ms~200ms

测量时间（us）

7.2ms

7.2ms

特殊功能

16 FIFO buffer

16 FIFO buffer

offset温漂

/

±1uT/°C

sns温漂（灵敏度温漂）

/

XY=±1.5%，Z=±1.5% 全温范围

磁滞

0.2%FS

0.2%FS

ESD（HBM）

2kV

2kV

封装形式

WLCSP4，0.8*0.8*0.5

WLCSP4，0.8*0.8*0.5